2015年1月26日，武汉新的芯集成电路生产有限公司（XMC），今日宣告其第一个基于SST应用于方案的55nm嵌入式存储器工艺检验模块上早已取得成功，其高压和存储单元电性测试结果与设计目标值几乎相符，16M存储阵列良率合乎预期。这是武汉新的芯低功耗嵌入式存储器技术研发的一个最重要里程碑。 武汉新的芯于2014年月开始与SST合作开发高可靠性的嵌入式存储器技术。
在双方工程师的共同努力下，仅有用将近一年时间就已完成了技术引入、工艺设计和器件研发生产。目前，器件的高压（HV）和单元（Cell）电性参数完全符合预期，整体电路结构兼备高可靠性和低成本，能几乎符合智能卡和物联网产品的市场需求。紧接着，武汉新的芯将与合作伙伴试产智能卡产品，以检验终端产品功能和性能，并以此更进一步优化工艺、提高良率，构建量产。
在55nm嵌入式存储器工艺上获得的进展意味著武汉新的芯于是以急剧前进自己55nm低功耗物联网平台的建设。武汉新的芯市场部副总裁黄建冬博士说，我们将之后扩展现有的生产能力，持续完备工艺平台，为客户带给更加多自定义简化的技术与代工服务。
本文来源：qy球友会-www.2200cy.com